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敦南於IIC展示新一代電源管理解決方案   2014-09-09

敦南科技(Lite-on Semiconductor)參加國際積體電路研討會暨展覽會(IIC-China),展出一系列針對快速、無線至智慧充電器需求打造的薄型化與高效率產品組合,包括新一代薄型整流橋接器 M2 結合低損耗的溝槽式薄型蕭特基元件 F5 、針對高效率電源市場推出的碳化矽(SiC)與 PFC 組合以及行動電源與無線充電等電源管理解決方案。
敦南在IIC展出的產品中以入圍IIC Best Product Award的 M2+F5 配接器電源管理解決方案最受矚目。該方案採用最新溝槽式製程技術和新的超薄 SMD 封裝,可提供由25W至65W的寬廣電源輸出功率,輕薄短小的設計節省空間,可容納更多的規格和功能,而寬廣的應用範圍可簡化庫存管理並降低倉庫空間需求。
 
M2+F5配接器組合
該方案包括一顆M2 (Mini GPP Bridge)及1顆F5 (Schottky)的組合。 GPP Bridge是電源供應器中第一顆電流通過的分離式元件,也是唯一具備將交流轉直流電功能的功率分離式元件。 M2 整流器採用最新溝槽式設計製程及高密度封裝技術,規格從1.5A、2.0A到2.2A,M2在交流轉直流有高達87.6%的轉換率。 M2封裝面積及厚度較先前產品分別減少約60%及58%,提供研發工程師更多彈性設計空間及更時尚的產業造型。
此外, F5 特殊的設計在同等面積的情況增加了8%的散熱面積,在工作時熱度可降低5~10%,因此可提高產品運作穩定性及增加使用壽命。 F5 的腳位採標準設計,免去重新設計時間及更換成本。 M2+F5 寬廣的應用範圍可供多種終端機共享的好處,簡化了消費者充電的需要,也大幅減化經銷商庫存管理的困擾。
M2+F5 配接器電源管理解決方案適用範圍包括智慧型手機、視訊轉換盒、平板、筆電及個人電腦等電源供應器等,是體積最輕薄、終端應用最廣泛的方案 ,可作為設計新世代智慧型充電器的最佳選擇。
 
高階溝槽蕭特基元件
敦南科技新型增強型溝槽式蕭特基(Trench Schottky)整流器系列元件,具5A至40A的額定電流,45V至200V的 耐電壓。這些元件可提供更小的體積、更有效的性能,同時減少對散熱裝置的需求。新式溝槽式蕭特基結構在溝渠底部使用相反參雜的離子植入將溝渠底部包覆形成一個相反參雜的區域,在不影響順向特性的情況之下,明顯降低逆向漏電,能減少熱損耗,提高效率。
溝槽式蕭特基比傳統的平面蕭特基(Planar Schottky)具有更低的正向電壓降(Low V F)和反向漏電流(Lower IR)的改善,也提供了更好的反向能量吸收能力(Reverse better energy absorption capacity),同時保持相當的開關特性,所以溝槽式蕭特基在相同的額定功率下能有更高的結溫能力(TJ MAX)。
這些新型整流器的工作溫度範圍為-55℃~+150℃,適合桌上型電腦、筆記型電腦、伺服器、平面顯示器/電視的電源供應器及配接器。並適用於電信系統中交換式電源的ORing 二極體 (防止並聯電源之間的電流倒灌)。目前新元件已經量產,敦南期待能藉由該產品的推出,在過去亞洲廠所缺席的高階蕭特基領域中佔有一席之地。
 
行動裝置電源管理方案
敦南科技電推出針對24W以及10W以下的智慧型手機與平板用的行動電源管理解決方案,內建智慧型快速充電器功能,有助於行動裝置快速恢復可用電力。代號 M2+F1A+F4 組合功率24W的快速充電源管理方案,可以同時滿足目前業界對手機及平板快充分別為15W及20W的兩種需求。而代號為 M1+F1A+F3D 的10W功率則是因應智慧充電用的組合方案。
M系列是超薄型的 GPP Bridge (橋式整流器)產品,可在提高效率電壓轉換下提供小型化與薄型化設計使用,穩定電流供應可助延長電池使用壽命。 F1A 的快速整流二極體可提供更多樣化無拘束使用環境,不佔用多餘使用空間,另外 F4 封裝的蕭特基薄度僅1.8mm,其加大散熱面積設計可降低蕭特基產品使用溫度, 確保充電設備在良好的工作環境完成充電動作,進一步提高充電產品及被充電電池組的使用壽命,達到環保的效果。
GPP Bridge 在電源管理中扮演將交流轉直流電的功能,也是初級電源管理中第一也是最重要的一顆分離式元件,F系列則將蕭特基產品以最新輕薄方式封裝,讓小充電器可容納更多功能及規格設計並有機會造就更時尚的外觀設計。
 
進軍無線充電市場
敦南科技預計將從第三季起推出創新的功率 MOSFET 及蕭特基組成 SMLU1232的全橋整流器電源管理黃金組合,搶攻無線充電市場的「無限」商機。 SMLU1232 全橋整流器電源管理組合,用在接收器端,將發射器產生的交流(AC)電壓轉換為直流(DC)電壓,使可攜式電子裝置電池能夠進行更高能效、更快速的無線充電。
SMLU1232 是一款20伏(V) N通道全橋半同步整流器,整合了支援3.0安培(A)工作的雙蕭特基阻障二極體和兩顆典型導通電阻(Rds(ON))為21毫歐(mΩ)的MOSFET,將導電損耗降至最低,並大幅提升充電系統的能效。該方案採用超低電感、高熱效率的封裝,工作結點溫度範圍為-55℃至125℃。目前該方案在今年第三季起開始送樣至重點客戶進行測試。


此文章源自《電子工程專輯》網站:
http://www.eettaiwan.com/ART_8800703618_675763_NP_09745d7a.HTM

 
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